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 1）概述： 

      变频驱动中发热最大的莫过于IPM或IGBT，估算热损耗是决定散热措施的前提。

1. 功耗估算

通态损耗：

通态总功耗=饱和压降×通态电流。

在感性负载中，可以近似的通过VFM×续流二极管平均电流值来计算续流二极管功耗。

开关功耗：

当PWM信号频率高于5KHZ时功耗会显著增加。

得到最精确的方法是测量IC和VCE的波形。将此波形逐点相乘即得到功耗的瞬时波形，此波形是以焦耳/脉冲为单位的开关能量，该面积用作图积分来计算。总开关功耗是开通及关断的功耗之和。平均功耗是单脉冲开关能量与PWM频率相乘得到的。

即：PSW=FPWM×（ESW（on）+ESW（OFF））

2. VVVF变频器功耗计算

在变频器应用中IGBT的电流和占空比经常变化，下面公式可以应用时估算。

                通用变频器主电路及输出波形

A．IGBT的功耗

B.每一个IGBT开关的损耗

C．每一个IGBT的总功耗

D．二极管功耗

E．每一臂的功耗

符号注释：
ESW(on)：T=125ºC;峰值电流ICP下，每个脉冲对应的IGBT开通能量。

ESW（off）：T=125ºC；峰值电流ICP下，每个脉冲对应的IGBT关断能量。

FSW：变频器每臂的PWM开关频率（通常FSW=FC）。

ICP：正弦输出的电流峰值。

VCE（sat）:T=125ºC;峰值电流ICP下，IGBT的饱和电压。

VEC：IEP情况下，续流二极管的正向压降。

D：PWM信号占空比。

θ：输出电压与电流间的相位角。（功率因数=COSθ）

3. 平均结温的估算

IGBT的最大结温是150ºC，在任何情况下都不能超过该值。

   Rth可以在数据手册中查到。

Rth(j-c)=标定的结壳热阻。

TJ=半导体结温。

PT=器件的总平均功耗（PSW+PSS）

TC=模块的基板温度。

热计算方法

4. 瞬态结温升的计算

        瞬态热阻特性（IGBT部分）        瞬态热阻特性（FWD部分）

散热器的推荐（下载）：

请在散热器表面使用导热膏脂。推荐使用TLZ340系列。  

 安装时应受力均匀，避免用力过度而损坏，按下图顺序操作。

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