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 A 系列IGBT特征以及应用领域：

特征: 　 　 　 　 采用最新的CSTBT硅片技术 　 　 * 低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff * 高短路承受力（不需要RTC） * 降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型IGBT 　 采用AlN绝缘基层形成优异的热阻特性，比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的热阻 　 比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的成本结构 　 按IEC747-15标准定义温度和热阻 　 　 　 目标: 　 　 　 　 低成本设计， 适合中、低端变频器产品设计 　 　 　 　 内部连接图: 一单元 两单元 　 　 实物图:

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